? ? ? ?2023年初爆發的AI革命，讓ChatGPT一詞進入了大眾的視界，也讓市場開始關注AI或將帶來的產業鏈機遇。AI技術的發展帶來了數據需求的井噴式爆發，由此推動了行業對存儲的需求高漲。

　　實際上，在多種因素影響下，經歷了2年的蟄伏以后，存儲行業的景氣度已呈現向上態勢。市調機構數據顯示，進入第四季度，多個型號的存儲芯片呈現漲價之勢。第四季Mobile??DRAM(移動動態隨機存取存儲器)合約價季漲幅預估將擴大至13%至18%。NAND??Flash(閃存存儲器)方面，eMMC(嵌入式多媒體存儲芯片)、UFS(通用閃存存儲芯片)第四季合約價漲幅約10%至15%。受行業周期上行因素影響，多家存儲產業上市公司近期業績出現反轉。

　　1月29日，科創板存儲企業佰維存儲(688525.SH)發布2023年年度業績預告，預計公司2023年度實現營業收入35-37億元，同比增長20%-22%。其中，第四季度公司實現營收14-16億元，同比增長超過80%，環比增長超過50%，毛利率環比回升超過13個百分點。值得注意的是，在2023年整體行業大環境表現不佳的大背景下，佰維存儲的營收以20%以上的增速達到歷史新高。

　　進入2024年，存儲器漲勢持續延續。根據研調機構集邦科技(Trendforce)最新報告，Nand今年第1季價格將再漲18%至23%，Dram今年一季度合約價季漲幅約13%-18%，特別是移動設備內存預計漲幅最高可達23%。受行業利好因素影響，國內存儲企業財務表現有望繼續提升。

　　存儲行業復蘇 AI應用成新需求爆發點

　　2022年以來，受全球宏觀經濟“逆風”影響，IT市場需求迅速下降，連帶存儲產品量價齊跌。2023年全球存儲器市場規模下降了37%，連帶國內外存儲企業均承受巨大的經營壓力，三星、美光、海力士等存儲巨頭2023年均出現明顯虧損，佰維存儲受行業因素影響全年毛利率降低約10%。

　　自四季度以來，受存儲大廠縮減產能以及下游以手機為代表的消費電子市場出現邊際復蘇，存儲器市場開始反轉。展望2024年，存儲器價格也將延續上漲態勢，美國調查公司Gartner去年(2023年)12月發表預估報告指出，2024年存儲器需求將呈現強勁復蘇、營收預估將暴增66.3%，其中2024年閃存營收預估將暴增49.6%、內存營收預估將暴增88%。

　　對此，佰維存儲表示，公司將持續深耕存儲主業，致力于大客戶市場的開拓與突破，同時，公司將繼續加大研發投入，完善產業鏈布局，增強硬科技實力，以更好的把握產業景氣度回升實現業績快速成長。

　　值得注意的是，存儲器市場可謂是受AI機遇影響最大的賽道，比如AI熱潮的興起便直接帶動了存儲器市場HBM(高帶寬內存)概念的火爆。簡單而言，隨著AI對于數據處理需求的幾何式增加，GPU的性能要求不斷增加，GPU需要更快的從內存中訪問數據，這就對新型存儲技術與容量提出了更高的要求。

　　另一方面，AI應用開始從資料中心/服務器擴及到各項層面，讓智能手機、PC、物聯網等終端裝置搭載的存儲器容量都可望看增，也是未來持續帶旺存儲芯片的龐大動能。

　　有市場人士表示，未來算力即貨幣，其中，計算、存儲與網絡三位一體不可或缺。

　　持續提升研發強度 穩定布局先進封測領域

　　作為一家半導體企業，僅僅立足于銷售渠道的拓展，不足以賦予企業持久的生命力。一手抓銷售，一手抓硬研發強度，是佰維存儲自成立以來便始終堅持的發展策略。業績預告顯示，2023年度，公司研發費用扣除股份支付后增幅超過50%，疊加對于研發人員的股份支付因素，是導致公司在四季度利潤下行的主要因素。

　　隨著AI技術的發展以及半導體技術繼續向前沿領域發展，行業對于先進封測技術的需求不斷提升。以AI帶火的HBM為例，HBM可簡單理解成一種先進的堆疊技術，通過更立體緊湊的設計實現更優的效能和更低的功耗，這就對封裝工藝的要求提升了很多。特別是HBM核心技術之一的硅通孔(TSV)技術，是實現先進封裝的關鍵。

　　佰維存儲很早便意識到先進封裝對于半導體特別是存儲行業未來發展的重要性。佰維存儲的惠州先進封裝工廠已正式運營。公司掌握的16層疊Die、30~40μm超薄Die、多芯片異構集成等先進封裝工藝，為NANDFlash芯片、DRAM芯片和SiP封裝芯片的大規模量產提供支持。

　　針對先進封裝在HBM領域的運用，公司與東莞松山湖新技術產業開發區管理委員會簽訂《東莞松山湖高新技術產業開發區項目投資意向協議》，其中一期投資項目為公司向特定對象發行A股股票的募投項目“晶圓級先進封測制造項目”。該晶圓級先進封測項目主要是實現凸塊(Bumping)、重布線(RDL)、扇入(Fan-in)、扇出(Fan-out)、硅通孔(TSV)等工藝技術。一旦成功落地運營，將有望支持佰維存儲成為國內存儲領域先進封裝的代表性企業，也為國內實現HBM產業鏈的國產替代奠定扎實的基礎。

　　除此以外，在內存技術的研發領域，佰維存儲也在有序推進。根據公開資料顯示，去年底，佰維存儲宣布成功研發出支持CXL2.0規范的CXL??DRAM。該內存內存容量最高 96GB，同時支持 PCIe 5.0×8 接口，理論帶寬可達??32GB/s。作為對比，三星存儲于2023年5月宣布全球首家研發出支持CXL 2.0的CXL DRAM，其性能指標為最大內存容量128GB，支持PCIe??5.0(x8通道)，提供高達每秒35GB的帶寬。佰維存儲與全球頭部企業在前沿存儲研發領域的差異已然不大。而CXL作為下一代內存可擴展設備，能夠為高性能服務器系統中與CPU一起使用的加速器、DRAM和存儲設備提高效率，佰維存儲的這一研發進展，將明顯有助于其擴大在服務器市場的競爭優勢。

　　同時，作為存儲器另一大核心產品的主控芯片研發，佰維存儲也有突破，其研發的主控芯片已在近期回片點亮，正在進行量產準備。

　　在行業復蘇以及AI技術機遇的影響下，存儲企業的業績反轉曙光已現。對此，佰維存儲表示，公司將繼續把握行業周期上行以及存儲行業技術迭代的發展機遇，深耕主業，不斷強化對前沿存儲技術的研發強度，為國內存儲行業的發展以及公司業績的持續穩健增長打下扎實的基礎。

來源：咸寧新聞網